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Effects of structural distortion on electronic and optical properties of defect CdGa_2X_4 (X = S, Se, Te) Chalcopyrite Semiconductor

机译:结构变形对电子和光学性质的影响   缺陷CdGa_2X_4(X = s,se,Te)黄铜矿半导体

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摘要

We observe significant effects of structural distortion on electronic andoptical properties of CdGa_2X_4 (X = S, Se, Te) defect chalcopyrite. Thecalculation is carried out within Density functional theory based tight bindinglinear muffin tin orbital (TB-LMTO) method. Structural parameters and band gapof CdGa_2X_4 agree well with the available experimental values within LDAlimit. Change in band gap due to structural distortion is 3.63%, 4.0%, and 8.8%respectively. We observe significant change in optical properties also due tothis effect. Effects on optical properties come mainly from optical matrixelements. Our results of these response functions agree well with the availableexperimental values.
机译:我们观察到结构变形对CdGa_2X_4(X = S,Se,Te)缺陷黄铜矿的电子和光学性质的重大影响。该计算是在基于密度泛函理论的紧密结合线性松饼锡轨道(TB-LMTO)方法中进行的。 CdGa_2X_4的结构参数和带隙与LDAlimit内的可用实验值非常吻合。由结构畸变引起的带隙变化分别为3.63%,4.0%和8.8%。由于该效应,我们观察到光学性质的显着变化。对光学性能的影响主要来自光学基质元素。这些响应函数的结果与可用的实验值非常吻合。

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